畢業標準

---

IMSPMD實驗室碩士班畢業口試申請及畢業條件(2006.07.03)

一、需達成之前提:

   1.研究題目與目標最晚需在二年級上學期，10/31日前提出書面企劃書，進行簡報，正式徵得老師同意。

   2.應用、設計規格及比較文獻、對象最晚需於二年級寒假開始前，以簡報方式接受提問，獲得老師確認。

   3.最晚需在二年級下學期，4/30日前備妥以下資料，向老師提出口試申請審查，同時，需製作研究論文簡報於實驗室公開報告，並接受提問，通過老師之審核。

• 碩士論文題目
• 論文應用目標及貢獻
• 適用實驗室畢業條件等級
• 論文摘要及大綱
• 參考(比較)文獻書面紙本乙份

   4.最晚需於二年級下學期，6/15日前完成論文初稿，送交老師審閱通過後，方得向校方正式提出畢業口試申請。

 

二、論文貢獻分類:

   1.創新設計(系統、應用、架構、電路)與驗證。

   2.晶片設計完整度(系統à電路à佈局à下線à量測)。

   3.設計方法、環境、及流程之改善。

   4.論文投稿且被接受。

 

三、畢業條件等級方案:

   1.等級1 (具足夠學術貢獻之創新設計)

• 經老師認定具創新之系統、應用、架構、或電路設計(需佐以必要、合理之驗證結果)
• 在向校方正式提出口試申請前，完成論文投稿程序

   2.等級2 (無足夠學術貢獻之論文晶片實作)

• 方案一 (Full-custom IC流程)
  • 在向校方正式提出口試申請前，完成設計à佈局及post-sim à下線à量測，且量測結果需為function work
  • 口試時間前，完成論文投稿程序
• 方案二 (Full-custom IC流程)
  • 在向校方正式提出口試申請前，完成設計à佈局及post-sim à下線。口試完成後再補齊量測結果於論文。
  • 口試時間前，論文完成投稿且被接受。
• 方案三 (FPGA流程)
  • 在向校方正式提出口試申請前完成FPGA實作且驗證結果需符合設計規格。
  • 在口試時間前，完成論文投稿程序

 

附註：

1.依所選定之實驗室畢業條件等級(需經老師認可)完成要求，並通過口試委員之畢業口試，方能畢業。

2.未能同時符合前述四項前提者，是同無法準時完成論文流程，至少需延畢一學期。延畢之口試申請、審查流程同前述四項前提(時程前置量同前)。

• 口試申請審查：10/31日前
• 論文初稿審閱：12/15日前

3.以上畢業條件等級方案每年7月檢討修訂，修訂後即為該屆畢業條件(本次內容適用於第一、二屆同學)。